聚焦第三代半導體，東莞發布產業集群行動計劃

　　近日，東莞市發改委正式發布《東莞市發展半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃（2022－2025年）》（以下簡稱“計劃”）。

 

　　到2025年，東莞市集成電路產業營業收入超800億元，力爭達到1000億元，并建成華南地區第三代半導體材料及應用創新重要基地，并在封裝測試、芯片設計和第三代半導體等細分領域實現國產化替代等具體目標。

 

　　近年來，東莞在集成電路研發設計、封裝測試和第三代半導體等領域集聚了一批企業，形成了一定的產業規模。

 

　　目前全市擁有涉及半導體及集成電路研發、生產與銷售的企業257家，大多集中在封裝測試和研發設計環節，2021年實現主營業務收入約256億元，其中上市企業4家。

 

　　2025年，東莞的四大目標

 

　　《計劃》中，東莞是提出了到2025的四大目標。

 

　　1、到2025年，東莞市集成電路產業營業收入超800億元，力爭達到1000億元，年均增速超過25%；

 

　　2、東莞市第三代半導體產業將具有全國競爭力，建成華南地區第三代半導體材料及應用創新重要基地，基本形成碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）襯底和外延材料、芯片/器件、應用的完整產業鏈；

 

　　3、企業創新研發投入占銷售收入比重超過5%，自主研發和引進消化吸收一批關鍵核心技術，在封裝測試、芯片設計和第三代半導體等細分領域實現國產化替代；

 

　　組建一批高水準的企業研發中心，第三代半導體和集成電路技術創新平臺、產學研合作平臺等達到3個以上；

 

　　加快集聚創新人才，引進和培養第三代半導體和集成電路領軍人才30人以上、領軍團隊10個以上；

 

　　4、基本建成配套設施齊全、服務功能完善、規模效應明顯、上下游緊密配合的集成電路產業集聚區。集成電路專業公共服務平臺數量達到3個以上。

 

　　積極推動第三代半導體的發展

 

　　《計劃》中提出，將第三代半導體突破工程作為重點，積極推動氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、圖形化藍寶石（PSS）等第三代半導體材料在襯底、外延、器件、制備設備等方面的研發、產業轉化，加快第三代半導體芯片應用推廣。

 

　　重點發展應用于新能源汽車、智能電網、智慧電源等領域的中高壓MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（大功率絕緣柵雙極型晶體管）等SiC電子電力器件；應用于5G通信的GaN高功率射頻器件、GaN功率放大器、GaN微波集成電路芯片等GaN微波射頻器件；應用于新型顯示Mini/Micro－LED、激光器等領域的GaN光電器件。

 

　　推動建設4－8英寸SiC和GaN襯底、外延及芯片/器件生產線，打通SiC/GaN材料－SiC/GaN芯片/器件－SiC/GaN應用的完整產業鏈，加快實現進口替代。

 

　　材料及關鍵電子元器件補鏈工程方面，大力引進技術領先的第三代半導體IDM企業，支持建設射頻、傳感器、電力電子等器件生產線，形成配套材料和封裝能力。

 

　　特種裝備及零部件配套工程方面，大力引進國內外沉積設備、刻蝕設備、等離子清洗機、薄膜制備設備、第三代半導體設備等領域的龍頭企業。

 

　　對于重點發展的第三代半導體、集成電路制造和封裝測試等領域項目，積極爭取列入省重點建設項目計劃，獲得省先進制造業政策支持。