徐州經濟技術開發區多晶硅產業鏈攀高拉長取得新成果，有協鑫集團投資的半導體級多晶硅和CVD法碳化硅沉積項目正在中能硅業有序實施，前者將一舉突破中國半導體產業在原料端的短板，后者將填補國內在石墨碳化涂層領域的空白，都將全面打破國外企業的壟斷格局，進一步鞏固中能硅業作為全球最大多晶硅研發制造商的領先領跑地位。
　　
　　據了解，協鑫集團聯手國家集成電路產業投資基金會，共同進軍半導體多晶硅產業。目前，首期年產5000噸半導體用電子級多晶硅項目的基礎設施已全部完工，關鍵設備也已定制完成，預計今年年底可進行調試，預計2017年可給國內晶圓批量供貨，2018年可覆蓋國內所有半導體生產廠家。其中，首期年產5000噸半導體用電子級多晶硅中，安排生產國外對我國實施技術封鎖的區熔級多晶硅1000噸。區熔級多晶硅主要應用在特高壓、高鐵變頻、充電樁等高端電器上面，價格高出直拉電子級多晶硅3倍左右。該項目建成后，將突破中國半導體產業在原料端的短板，成為繼美國Hemlock、德國Wacker之后世界第三的半導體級多晶硅新材料基地。
　　
　　另據了解，CVD法碳化硅沉積項目是硅基材料的一個延伸，其產品碳化硅涂層具有熔點高、硬度大、強度高、耐腐蝕、抗氧化等特點，可廣泛應用于化工、電子、航天、光伏、半導體等產業領域，建成后年產碳化硅涂層165爐。CVD法碳化硅沉積項目的建成投產，將打破國外企業對這一行業的壟斷局面，填補國內在石墨碳化涂層材料的空白，進一步解決國內企業不斷增長的實際需求，推動第三代半導體材料產業加快發展。