近日，武漢東湖高新區正式發布《光谷科技創新大走廊核心承載區總體發展規劃》并啟動建設，據規劃，光谷核心承載區將打造一條創新主軸、一個核心創新源、三大創新節點和三條千億產業大道。其中創新主軸為高新大道，核心創新源在光谷科學島，三大創新節點位于光谷生物城、光谷中心城和武漢未來科技城，三條千億產業大道分別是關山大道、光谷五路和左嶺大道。

光谷作為世界級的光電技術中心，本次的光谷的科創大走廊核心承載區總規劃面積16.8平方公里的光谷科學島，位于豹澥街道南部梁子湖湖畔，被視為整條大走廊的皇冠之珠。該島主要布局各類重大科技基礎設施，引進各類國際化高端科研平臺和研究型大學，同時加大新型基礎設施建設，以及新經濟應用場景的構建。

據相關人員介紹，光谷核心承載區將按三步走來建設，終極目標是到2049年，光谷科技創新大走廊核心承載區成為具有全球影響力的科技創新創業中心，全面建成“世界光谷”。光谷本次的重點布局在集成電路、存儲芯片、消費電子和智能終端等新興產業。

作為世界級的存儲中心城市，武漢存儲的實力逐漸加強，未來承擔著中國存儲崛起的重任，長江存儲和武漢新芯工廠的建成就是武漢實力的見證。

存儲器行業具有周期波動特性，從歷史表現上看,存儲器行業總是處于交替出現的漲跌循環之中,其產業周期強于電子元器件市場整體的周期性,暴漲暴跌的情況也是常見。由于行業壟斷，國產存儲產業的薄弱，國家發展存儲決心從未改變。2016年，武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等新廠的落成，加上紫光和兆易等傳統存儲顆粒原廠的發力，中國存儲格局逐漸顯現。

目前中國存儲的研發節奏正在逐步推進，中國存儲產業加速前進，武漢存儲產業隱現國家隊效應，是中國未來存儲發展的新希望。武漢東湖高新區未來三路與高新大道交匯處，被稱為黃金大道，這里的芯屏產業聚集，長江存儲就在這里誕生。據了解，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，規劃總產能30萬片/月，總占地面積1968畝。

2016年年底，長江存儲一期工程開工，2019年9月，長江存儲發布64層3D NAND閃存，目前產品實現穩定量產，并陸續推向市場。2020年4月，長江存儲再次發布128層3D NAND閃存，預計將于2020年年底至2021年年初實現量產。

作為存儲器領域國家隊代表的長江存儲，正在按照自己的研發節奏推進，在武漢光谷，長江存儲正打造屬于自己的存儲器產業鏈。

2006年成立的武漢新芯半導體是一家領先的半導體研發和制造企業，與長江存儲是鄰居，致力于NOR Flash和晶圓級Xtacking TM技術的研發。在NOR Flash行業中，XMC積累了十多年的制造經驗，是中國乃至全球領先的NOR Flash晶圓制造商之一。目前，Xtacking TM技術平臺已引入TSV，混合鍵合和多晶片堆疊技術，為客戶提供高度靈活和創新的晶片級3D IC技術解決方案。

在打造存儲工廠的過程中，武漢的存儲人都是摸著石頭過河。武漢新芯表示，“自己做存儲器產業，我們沒有團隊。”武漢新芯在2006年正式開工建設，經過了廠房建設、進設備、爬產能周期后，2008年產品才正式上市。

中國的企業在存儲領域既沒有技術優勢，也沒有生產規模，每年進口的芯片金額高達2500億美元，在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上基本是零。

《國家集成電路產業發展推進綱要》的公布給了行業機會，中國計劃徹底改善在半導體產業的被動局面，也取得了很多可喜的成績，如今，光谷科技創新大走廊核心承載區總體發展規劃的發布，再次給產業增強了信心。

目前，長江存儲、武漢新芯、小米總部、華為海思武漢光芯片工廠等眾多世界級的企業入駐，光谷迎來了巨大的機遇，產業集群正在形成。